[发明专利]具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件在审
| 申请号： | 202210877360.4 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116314133A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H10B80/00;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件。该半导体元件具有一第一晶圆以及一第二标记；该第一标记包括一第一基底、一去耦合特征以及多个第一对准标记，该第一基底具有一介电堆叠，该去耦合特征设置在其中一个第一对准标记之下的该介电堆叠中，该多个第一对准标记设置在该第一基底上且相互平行；该第二晶圆设置在该第一晶圆上且包括多个第二对准标记，该多个第二对准标记设置在该多个第一对准标记上。在顶视图中，该多个第二对准标记平行于该多个第一对准标记且邻近该多个第一对准标记设置。该多个第一对准标记与该多个第二对准标记包括一荧光材料。该去耦合特征具有一瓶形剖面轮廓，且该去耦合特征包括一多孔低介电常数材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 整合 耦合 特征 以及 对准 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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