[发明专利]一种用于半导体反应设备的进气装置及半导体反应设备有效
| 申请号： | 202210873282.0 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115206845B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李久龙;初春;祁广杰;刘闻敏 | 申请（专利权）人： | 盛吉盛半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市竞天公诚律师事务所 11770 | 代理人： | 孙磊;徐民 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体反应设备的进气装置以及半导体反应设备，该用于半导体反应设备的进气装置包括混气部以及进气部，混气部包括至少两个进气管以及混气腔，至少两个进气管均与混气腔连通，混气腔设置有至少两个出气孔，进气部设置于半导体反应设备的反应腔的顶部，进气部包括腔室，至少两个出气孔与腔室连通，腔室的径向尺寸大于混气腔的径向尺寸。本发明能够降低对工艺气体气流的阻碍，同时提高对工艺气体气流的混气效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 反应 设备 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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