[发明专利]一种用于半导体反应设备的进气装置及半导体反应设备

说明书

本发明涉及一种用于半导体反应设备的进气装置以及半导体反应设备，该用于半导体反应设备的进气装置包括混气部以及进气部，混气部包括至少两个进气管以及混气腔，至少两个进气管均与混气腔连通，混气腔设置有至少两个出气孔，进气部设置于半导体反应设备的反应腔的顶部，进气部包括腔室，至少两个出气孔与腔室连通，腔室的径向尺寸大于混气腔的径向尺寸。本发明能够降低对工艺气体气流的阻碍，同时提高对工艺气体气流的混气效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种用于半导体反应设备的进气装置以及半导体反应设备。

背景技术

对于现有技术的半导体反应设备，两种工艺气体分别通过一个主管路及四个分管路独立进气，四个分管路的顶端与主管路连接，底端与环形腔的顶部连接匀气筛，匀气筛上设置的若干横向小孔喷出工艺气体，从而实现与晶圆的反应。但是，由于两种工艺气体只是简单地利用管路以及环形腔进行汇合，工艺气体会在环形腔内会发生对冲，工艺气体还会撞击到环形腔的侧壁上，从而导致环形腔内的气体浓度不均匀，同时，匀气筛本身还会对工艺气体气流造成阻碍。如此，导致不仅混气效率低，而且还会造成到达晶圆表面的工艺气体浓度不均匀，进而导致成膜的均匀性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于半导体反应设备的进气装置以及半导体反应设备，以降低对工艺气体气流的阻碍，同时提高对工艺气体气流的混气效率。

本发明的目的是采用以下的技术方案来实现的。依据本发明提出的一种用于半导体反应设备的进气装置，包括混气部以及进气部，所述混气部包括至少两个进气管以及混气腔，所述进气管均与所述混气腔连通，所述混气腔设置有至少两个出气孔，所述进气部包括腔室，所述出气孔与所述腔室连通，所述腔室与所述半导体反应设备的反应腔连通，所述腔室的径向尺寸大于所述混气腔的径向尺寸。

在一些实施方式中，所述混气腔的轴线与所述腔室的轴线垂直。

在一些实施方式中，所述进气装置还包括导流部，所述进气部设置于所述导流部的顶部，所述导流部用于将从所述进气部的所述腔室内流出的气体导流至所述半导体反应设备的反应腔的内部。

在一些实施方式中，所述导流部的顶部开设有阀口，所述阀口的内部开设有至少两个第二通孔，所述第二通孔与所述腔室连通，所述第二通孔还与所述半导体反应设备的反应腔连通。

在一些实施方式中，所述导流部还包括导流板，所述导流板位于所述第二通孔的下方，所述导流板与所述第二通孔均呈45°。

在一些实施方式中，所述混气部还包括气体通道，所述气体通道被构造成环形，所述气体通道将所述进气管与所述混气腔连通。

在一些实施方式中，所述气体通道的内壁具有内层和外层，所述内壁上开设有至少两个第一气孔以及至少两个第二气孔，所述第一气孔以及所述第二气孔的孔径被构造成由内层到外层逐渐减小，以使得所述第一气孔形成第一顶角，所述第二气孔形成第二顶角。

在一些实施方式中，所述第一气孔以及所述第二气孔成对布置，所述第一气孔的所述第一顶角与所述第二气孔的所述第二顶角的朝向相反。

在一些实施方式中，所述第一顶角以及所述第二顶角均为45°

本发明还提供一种半导体反应设备，包括前述的用于半导体反应设备的进气装置。

本发明的有益效果至少包括：

1、混气部包括至少两个进气管以及混气腔，至少两个进气管均与混气腔连通，不同的工艺气体经由进气管进入到混气腔中后，可以在混气腔的内部被充分混合，从而使得不同的工艺气体在混气腔的内部均匀分布。

2、由于腔室的径向尺寸大于混气腔的径向尺寸，工艺气体从混气腔的第二端流出并进入腔室后，腔室不会对工艺气体的气流造成阻碍，从而不会阻碍工艺气体的流动。