[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202210844475.3 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115020343B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 宋富冉;周儒领;黄厚恒;伯秀秀 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体器件制作领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内设置多个阱区；在所述阱区上形成栅极结构；在所述衬底和所述栅极结构上形成第一介质层；对所述第一介质层进行氮化处理，形成中间层；以所述中间层为杂质离子的注入缓冲层，在所述栅极结构两侧的所述阱区内形成轻掺杂区；在所述中间层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述中间层或刻蚀所述第二介质层至所述第一介质层，形成侧墙结构；以所述中间层或所述第一介质层为杂质离子的注入缓冲层，在所述侧墙结构两侧的所述阱区内形成重掺杂区。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，可提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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