[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体器件制作领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内设置多个阱区；在所述阱区上形成栅极结构；在所述衬底和所述栅极结构上形成第一介质层；对所述第一介质层进行氮化处理，形成中间层；以所述中间层为杂质离子的注入缓冲层，在所述栅极结构两侧的所述阱区内形成轻掺杂区；在所述中间层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述中间层或刻蚀所述第二介质层至所述第一介质层，形成侧墙结构；以所述中间层或所述第一介质层为杂质离子的注入缓冲层，在所述侧墙结构两侧的所述阱区内形成重掺杂区。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，可提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明属于半导体器件制作领域，特别涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

在制备半导体器件时，侧墙是用来定义轻掺杂(LDD)区域和沟道长度，并在通孔刻蚀时保护栅极的一种工艺，是通过沉积和刻蚀等工艺在栅极的栅极侧墙(offset spacer)两侧制作而成的结构。在形成氧化硅和氮化硅组成的复合层侧墙结构时，例如为ON或ONO结构时，由于多次炉管工艺，易出现沟道穿通效应和轻掺杂区域的交叉扩散加重等问题，且侧墙厚度过大也会导致的衬底损伤、钻刻以及漏电等问题，导致半导体器件失效，降低半导体器件的生产良率。

因此，如何获得高质量的半导体器件成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制作方法，通过本发明提供的半导体器件的制作方法，可以获得高质量的半导体器件。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种半导体器件的制作方法，其至少包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底内设置多个阱区；

在所述阱区上形成栅极结构；

在所述衬底和所述栅极结构上形成第一介质层；

对所述第一介质层进行氮化处理，在所述第一介质层表面形成中间层；

以所述中间层为杂质离子的注入缓冲层，在所述栅极结构两侧的所述阱区内形成轻掺杂区；

在所述中间层上形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层至所述中间层或刻蚀所述第二介质层至所述第一介质层，形成侧墙结构；以及

以所述中间层或所述第一介质层为杂质离子的注入缓冲层，在所述侧墙结构两侧的所述阱区内形成重掺杂区。

在本发明一实施例中，所述第一介质层包括氧化硅层。

在本发明一实施例中，所述第一介质层的厚度为80Å~100Å，且所述第一介质层进行氮化处理后，剩余的所述第一介质层的厚度为20Å~30Å。

在本发明一实施例中，所述氮化处理包括去藕合等离子体氮化、快速热氮化或氨水浸泡处理方式中的一种或混合。

在本发明一实施例中，在形成所述中间层之后以及在形成所述轻掺杂区之前，对所述衬底进行清洗工序，以去除所述衬底的表面附着的颗粒杂质。

在本发明一实施例中，所述轻掺杂区的形成步骤包括：

在所述衬底上形成图案化的光阻层，所述图案化的光阻层暴露所述阱区上的所述中间层；

以所述中间层为所述注入缓冲层，在所述阱区内注入所述杂质离子，形成所述轻掺杂区。

在本发明一实施例中，所述阱区包括第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区并列设置在所述衬底内。

在本发明一实施例中，所述重掺杂区的形成步骤包括：