[发明专利]集成电路结构在审
| 申请号: | 202210842964.5 | 申请日: | 2022-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN115497944A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
| 发明(设计)人: | 廖忠志 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本公开提供一种集成电路结构。集成电路结构包括第一SRAM单元以及第二SRAM单元,其中第二SRAM单元的布局为第一SRAM单元的布局对于两者间的垂直单元边界的镜像。第一SRAM单元包括分别设置于第一鳍片及第二鳍片上方的第一下拉(PD)装置以及第二PD装置,其中分别对应第一PD装置及第二PD装置的通道区域的第一鳍片的一部分及第二鳍片的一部分,各自包括由第一通道宽度W1所定义的第一半导体层堆叠,并且分别提供第一PD装置及第二PD装置的源极端子的第一鳍片的一部分及第二鳍片的一部分,各自由第一宽度W1’所定义,第一宽度W1’相对于第一通道宽度W1经过扩大。 | ||
| 搜索关键词: | 集成电路 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





