[发明专利]功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210812168.7 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115394894A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王群;龚逸品;陈张笑雄;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/02;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该功率半导体器件包括外延片、阳电极和阴电极；外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、U‑GaN层、AlGaN层、GaN帽层和SiN保护层；阳电极和阴电极相互间隔，阳电极的第一端依次贯穿SiN保护层和GaN帽层并插接在AlGaN层内，阳电极朝向阴电极的一侧相对于AlGaN层倾斜；阴电极的第一端依次贯穿SiN保护层和GaN帽层并插接在AlGaN层内，阴电极朝向阳电极的一侧相对于AlGaN层倾斜。本公开能够改善电场分布，有助于提高功率半导体器件的高温可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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