[发明专利]功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210812168.7 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115394894A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王群;龚逸品;陈张笑雄;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/02;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括外延片(10)、阳电极(20)和阴电极(30)；
所述外延片(10)包括衬底(110)和依次形成在所述衬底(110)上的缓冲层(120)、U-GaN层(130)、AlGaN层(140)、GaN帽层(150)和SiN保护层(160)；
所述阳电极(20)和所述阴电极(30)相互间隔，所述阳电极(20)的第一端依次贯穿所述SiN保护层(160)和所述GaN帽层(150)并插接在所述AlGaN层(140)内，所述阳电极(20)朝向所述阴电极(30)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜；
所述阴电极(30)的第一端依次贯穿所述SiN保护层(160)和所述GaN帽层(150)并插接在所述AlGaN层(140)内，所述阴电极(30)朝向所述阳电极(20)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述阳电极(20)的第一端至第二端的方向上，所述阳电极(20)朝向所述阴电极(30)的一侧，朝向所述阴电极(30)倾斜。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述阴电极(30)的第二端至第一端的方向上，所述阴电极(30)朝向所述阳电极(20)的一侧，背离所述阳电极(20)倾斜。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述阳电极(20)朝向所述阴电极(30)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜5°-50°。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述阴电极(30)朝向所述阳电极(20)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜5°-50°。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述阳电极(20)的第一端与所述AlGaN层(140)朝向所述GaN帽层(150)的一侧的间距为1nm-15nm。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述阴电极(30)的第一端与所述AlGaN层(140)朝向所述GaN帽层(150)的一侧的间距为1nm-15nm。
8.一种功率半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底(110)；
在所述衬底(110)上依次外延生长缓冲层(120)、U-GaN层(130)、AlGaN层(140)、GaN帽层(150)和SiN保护层(160)；
提供一阳电极(20)，所述阳电极(20)的一侧为斜面，将所述阳电极(20)的第一端依次贯穿所述SiN保护层(160)和所述GaN帽层(150)并插接在所述AlGaN层(140)内；
提供一阴电极(30)，所述阴电极(30)的一侧为斜面，将所述阴电极(30)的第一端依次贯穿所述SiN保护层(160)和所述GaN帽层(150)并插接在所述AlGaN层(140)内，且所述阴电极(30)的斜面与所述阳电极(20)的斜面相对。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN层(140)和所述GaN帽层(150)周期性交替层叠生长，所述AlGaN层(140)和所述GaN帽层(150)的交替周期数为1-6。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在生长所述GaN帽层(150)和所述SiN保护层(160)之前，表面纯氮气氛围处理2-15min。
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