[发明专利]基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆有效
| 申请号： | 202210808104.X | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN114883186B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 唐义洲;王中健 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67;H01L29/16 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 吴桂芝 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括以下步骤：在载片上涂覆键合胶并进行洗边处理；对晶圆进行台阶式修边处理，得到具有台阶倒角的晶圆；将载片与晶圆进行键合；对晶圆进行多次减薄处理，直至达到要求厚度；完成第一次晶圆背面工艺。通过洗边处理能够去除边缘键合胶，降低键合胶溢出风险；对晶圆进行台阶式修边处理，一方面能够防止台阶式倒角挤压键合胶导致键合胶溢出，从而对后续减薄设备的污染，另一方面能够避免洗边工艺导致晶圆与载片中间部分无法紧密键合导致的晶圆边缘碎裂的风险；对载片进行键合胶涂覆，使修边后晶圆无需进一步涂覆键合胶即可实现载片与晶圆的键合，利于提高工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 临时 背面 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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