[发明专利]具有终端保护装置的碳化硅JBS及其制备方法有效
| 申请号： | 202210807542.4 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN114864704B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王中健;曹远迎 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都四合天行知识产权代理有限公司 51274 | 代理人： | 廖祥文 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有终端保护装置的碳化硅JBS及其制备方法，所述装置包括碳化硅衬底，在碳化硅衬底上生长有第一外延层，在第一外延层内间隔分布有多个改善设施，在第一外延层上表面生长有第二外延层，在第二外延层内设有注入区、过渡区、保护环，保护环与改善设施在纵向方向上分布一致，环间距依次递增，在碳化硅衬底背面覆盖有欧姆金属电极，第二外延层上方覆盖有肖特基金属电极和氧化层，解决了现有技术存在的电场尖峰问题，其应用时可有效改善终端区的电场分布，缓解电场尖峰现象，提升器件的反向耐压以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 终端 保护装置 碳化硅 jbs 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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