[发明专利]晶圆载具及氮化硅介质膜的制备方法有效
申请号: | 202210769998.6 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN115142047B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 曲凯;史仁先;王国峰 | 申请(专利权)人: | 北海惠科半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/34;C23C16/455;H01L21/02;H01L21/673 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 536005 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种晶圆载具及氮化硅介质膜的制备方法,使晶圆在晶圆载具上生长氮化硅介质膜,晶圆载具包括:底座,底座内设置有沿第一方向间隔分布的多个容置槽,容置槽用于承载晶圆;以及盖体组件,盖体组件盖合于底座,盖体组件和底座盖合后形成用于容纳晶圆的腔体,腔体内通入硅烷和氮气的混合气体,盖体组件包括至少两个沿第二方向间隔分布的盖体,每个盖体上设置有沿第一方向间隔分布的多个进气槽,相邻两个盖体的进气槽在第一平面上的投影互不交叠,第一方向和第二方向相互垂直。通过设置至少两个盖体,并且相邻盖体的进气槽交错分布,可以加长颗粒的进入通道,避免颗粒随进气槽直接沉积在晶圆上。 | ||
搜索关键词: | 晶圆载具 氮化 介质 制备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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