[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202210754353.5 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114823738B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之;中野纪夫 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/552;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一表面、第二表面以及第三表面，且所述第二表面和所述第三表面设置在所述第一表面两侧，所述第二表面低于所述第一表面，所述第三表面与所述第二表面位于同一水平面；浅沟槽隔离结构，所述第二表面位于所述第一表面和所述浅沟槽隔离结构之间，所述第二表面上方形成凹槽部；栅极，设置在所述第一表面上；源极，设置在所述第二表面下方的衬底中；漏极，设置在所述第三表面下方的衬底中；第一侧墙，设置在所述栅极的两侧且分别延伸至所述第二表面和所述第三表面。通过本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，可提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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