[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一表面、第二表面以及第三表面，且所述第二表面和所述第三表面设置在所述第一表面两侧，所述第二表面低于所述第一表面，所述第三表面与所述第二表面位于同一水平面；浅沟槽隔离结构，所述第二表面位于所述第一表面和所述浅沟槽隔离结构之间，所述第二表面上方形成凹槽部；栅极，设置在所述第一表面上；源极，设置在所述第二表面下方的衬底中；漏极，设置在所述第三表面下方的衬底中；第一侧墙，设置在所述栅极的两侧且分别延伸至所述第二表面和所述第三表面。通过本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，可提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

在半导体装置中，为了构成各电路，在衬底上形成金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。在源极或漏极使用硅锗（SiGe）可以提高MOSFET的特性，但会增加化学气相沉积装置，成本较高，且只能用于部分高性能晶体管。因此，如何提高晶体管的性能及降低成本成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，通过本发明提供的半导体器件及其制造方法，可以提高半导体器件的性能，并简化制备工艺。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种半导体器件，其至少包括：

衬底，所述衬底包括第一表面、第二表面以及第三表面，其中，所述第二表面设置在所述第一表面的一侧，且所述第二表面低于所述第一表面，所述第三表面设置在所述第一表面的另一侧，所述第三表面与所述第二表面位于同一水平面；

浅沟槽隔离结构，所述第二表面位于所述第一表面和所述浅沟槽隔离结构之间，且所述第二表面低于所述浅沟槽隔离结构的表面，所述第二表面的上方形成凹槽部；

栅极，设置在所述第一表面上，且所述栅极与所述第一表面之间设置有栅极氧化层；

源极，所述源极设置在所述第二表面下方的所述衬底中；

漏极，所述漏极设置在所述第三表面下方的所述衬底中；以及

第一侧墙，设置在所述栅极的两侧且分别延伸至所述第二表面和所述第三表面。

在本发明一实施例中，所述第一侧墙覆盖所述栅极的侧壁以及位于所述栅极下方的所述凹槽部的侧壁。

在本发明一实施例中，所述第一侧墙通过热氧化工艺形成，且热氧化区域包括所述栅极的侧壁和位于所述栅极下方的所述凹槽部的侧壁。

在本发明一实施例中，所述凹槽部的深度为10nm~20nm。

在本发明一实施例中，所述第一侧墙的宽度为10nm~20nm。

在本发明一实施例中，所述第一侧墙包括第一侧壁面和第二侧壁面，其中，所述第一侧壁面为所述栅极一侧的所述第一侧墙与所述栅极的接触面，所述第二侧壁面为所述栅极另一侧的所述第一侧墙与所述栅极的接触面，由所述栅极的顶部至所述衬底的方向，所述第一侧壁面与所述第二侧壁面之间的距离增大。

在本发明一实施例中，由所述栅极氧化层的顶部至所述衬底的方向上，所述栅极氧化层的宽度增大。

本发明的另一目的在于提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成栅极氧化层和栅极；