[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一表面、第二表面以及第三表面，其中，所述第二表面设置在所述第一表面的一侧，且所述第二表面低于所述第一表面，所述第三表面设置在所述第一表面的另一侧，所述第三表面与所述第二表面位于同一水平面；

浅沟槽隔离结构，所述第二表面位于所述第一表面和所述浅沟槽隔离结构之间，且所述第二表面低于所述浅沟槽隔离结构的表面，所述第二表面的上方形成凹槽部，所述凹槽部位于栅极两侧紧邻所述栅极的所述衬底内，所述凹槽部的深度为10nm~20nm；

所述 栅极，设置在所述第一表面上，且所述栅极与所述第一表面之间设置有栅极氧化层；

源极，所述源极设置在所述第二表面下方的所述衬底中；

漏极，所述漏极设置在所述第三表面下方的所述衬底中；以及

第一侧墙，设置在所述栅极的两侧且分别延伸至所述第二表面和所述第三表面，其中，所述第一侧墙覆盖所述栅极的侧壁以及位于所述栅极下方的所述凹槽部的侧壁，所述第一侧墙的宽度为10nm~20nm。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧墙通过热氧化工艺形成，且热氧化区域包括所述栅极的侧壁和位于所述栅极下方的所述凹槽部的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧墙包括第一侧壁面和第二侧壁面，其中，所述第一侧壁面为所述栅极一侧的所述第一侧墙与所述栅极的接触面，所述第二侧壁面为所述栅极另一侧的所述第一侧墙与所述栅极的接触面，由所述栅极的顶部至所述衬底的方向，所述第一侧壁面与所述第二侧壁面之间的距离增大。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，由所述栅极氧化层的顶部至所述衬底的方向上，所述栅极氧化层的宽度增大。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成栅极氧化层和栅极；

对所述栅极两侧紧邻所述栅极的所述衬底进行刻蚀，分别形成两个凹槽部，所述凹槽部的深度为10nm~20nm，与所述栅极氧化层接触的所述衬底表面为第一表面，所述栅极一侧的所述凹槽部的底面为第二表面，所述栅极另一侧的所述凹槽部的底面为第三表面，所述第二表面和所述第三表面位于同一水平面，所述第一表面高出所述第二表面；

在形成所述凹槽部之后，通过热氧化工艺形成第一侧墙，且所述第一侧墙设置在所述栅极的两侧且分别延伸至所述第二表面和所述第三表面，其中，所述第一侧墙覆盖所述栅极的侧壁以及位于所述栅极下方的所述凹槽部的侧壁，所述第一侧墙的宽度为10nm~20nm。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括形成轻掺杂区，形成所述轻掺杂区在所述第一侧墙形成后进行。