[发明专利]锶掺杂六硼化镧单晶及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210746466.0 申请日: 2022-06-29
公开(公告)号: CN114908422A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 王衍;鲍妍;张久兴;杨新宇;罗时峰;蔡铭辉 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C30B29/10 分类号: C30B29/10;C30B13/28;B22F3/105
代理公司: 北京山允知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11741 代理人: 胡冰
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种锶元素掺杂的六硼化镧单晶体、其制备方法,及包括其的阴极器件。所述锶元素掺杂的六硼化镧单晶体的分子式为La1‑xSrxB6,其中,0x1,所述单晶在阴极工作温度1300℃、外加电压1000V条件下,热发射电流密度为15~25A/cm2。与没有掺杂的六硼化镧单晶体相比,本发明所述的锶元素掺杂的六硼化镧单晶体热发射电流密度显著提升。
搜索关键词: 掺杂 六硼化镧单晶 及其 制备 方法
【主权项】:
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