[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210744998.0 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115148792A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈乘;邱安平;秦建勇;姜伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底以及设置于衬底同侧的发射区和基区；发射区具有第一导电类型，且被配置为中空体结构；基区具有第二导电类型，且被配置为与中空体结构的底壁及内侧壁相接触。本公开提供的半导体器件通过将发射区的形状设置为中空体结构，使得发射区的底壁以及内侧壁与基区相接触，增大了发射区与基区的有效接触面积，进而增大了器件的增益，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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