[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底以及设置于衬底同侧的发射区和基区；发射区具有第一导电类型，且被配置为中空体结构；基区具有第二导电类型，且被配置为与中空体结构的底壁及内侧壁相接触。本公开提供的半导体器件通过将发射区的形状设置为中空体结构，使得发射区的底壁以及内侧壁与基区相接触，增大了发射区与基区的有效接触面积，进而增大了器件的增益，提高了器件的性能。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

晶体管作为半导体器件中不可或缺的一种部件，尤其是BJT(Bipolar JunctionTransistor，双极结型晶体管)，常被用作电流控制器件。

在BJT器件的结构中，一般包括有引出发射极的发射区，引出基极的基区和引出集电极的集电区，上述各个区域的有效接触面积可以决定晶体管的增益和性能，通常情况下，有效接触面积越大，晶体管的增益越大，性能越好。目前，在BJT器件中，发射区与基区的有效接触面为发射区在基区上形成的外壁及底面，有效接触面积较小，导致了器件的性能受限。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术中半导体器件中的发射区与基区之间的有效接触面积小的问题，提供了一种半导体器件及其制备方法。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底以及设置于所述衬底同侧的发射区和基区；

所述发射区具有第一导电类型，且被配置为中空体结构；

所述基区具有第二导电类型，且被配置为与所述中空体结构的底壁和内侧壁相接触。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述发射区还包括多个凸起结构，多个所述凸起结构沿所述中空体结构的本体的外侧壁呈周向均匀分布。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述中空体结构的所述内侧壁在所述衬底上的正投影为第一正投影，所述第一正投影呈圆形或者正多边形。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述中空体结构的本体的外侧壁在所述衬底上的正投影为第二正投影，所述第二正投影的几何中心与所述第一正投影的几何中心重新。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述凸起结构的外壁在所述衬底上的正投影为第三正投影，所述第三投影的几何中心与所述第二正投影的几何中心重合。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一正投影为正多边形，且相邻两边的夹角为钝角；所述第二正投影为正多边形，且相邻两边的夹角为钝角。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一正投影和所述第二正投影为同心正六边形。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述半导体器件还包括设置于所述发射区上的发射极，所述发射极被配置为具有与所述发射区形状相同的中空体结构。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述半导体器件还包括集电区，所述集电区与所述发射区设置在所述衬底的同一侧。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述半导体器件还包括集电区，所述集电区与所述发射区设置在所述衬底的两侧。

根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体器件的制备方法，该方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成基区，所述基区具有第二导电类型掺杂；