[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210744998.0 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115148792A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈乘;邱安平;秦建勇;姜伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底以及设置于所述衬底同侧的发射区和基区；
所述发射区具有第一导电类型，且被配置为中空体结构；
所述基区具有第二导电类型，且被配置为与所述中空体结构的底壁和内侧壁相接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述发射区还包括多个凸起结构，多个所述凸起结构沿所述中空体结构的本体的外侧壁呈周向均匀分布。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述中空体结构的所述内侧壁在所述衬底上的正投影为第一正投影，所述第一正投影呈圆形或者正多边形。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述中空体结构的本体的外侧壁在所述衬底上的正投影为第二正投影，所述第二正投影的几何中心与所述第一正投影的几何中心重合。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述凸起结构的外壁在所述衬底上的正投影为第三正投影，所述第三投影的几何中心与所述第二正投影的几何中心重合。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一正投影为正多边形，且相邻两边的夹角为钝角；所述第二正投影为正多边形，且相邻两边的夹角为钝角。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一正投影和所述第二正投影为同心正六边形。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述发射区上的发射极，所述发射极被配置为具有与所述发射区形状相同的中空体结构。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括集电区，所述集电区与所述发射区设置在所述衬底的同一侧。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括集电区，所述集电区与所述发射区设置在所述衬底的两侧。
11.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成基区，所述基区具有第二导电类型掺杂；
在所述基区上形成具有中空体结构的发射区，所述中空体结构的本体的外侧壁周向均布有多个凸起结构，所述发射区具有第一导电类型掺杂。
12.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述中空体结构的内侧壁和外侧壁在所述衬底上的正投影的几何中心重合。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述中空体结构的内侧壁和外侧壁在所述衬底上的正投影为正多边形或圆形。
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述正多边形为正六边形。
15.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述凸起结构与所述中空体结构的本体一体成型。
16.根据权利要求15所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述凸起结构的外壁在所述衬底上的正投影与所述中空体结构的本体的外侧壁在所述衬底上的正投影同心。
17.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述发射区上形成发射极，所述发射极被配置为具有与所述发射区形状相同的中空体结构。
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