[发明专利]一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法在审
| 申请号： | 202210709200.9 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN114995077A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 郑怀志;施维 | 申请（专利权）人： | 广州新锐光掩模科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F1/22;G03F1/42;G03F1/44;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 郑纯;黄贞君 |
| 地址： | 510555 广东省广州市(*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，属于光刻机技术领域，具体包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测第一量测图形和第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对晶圆进行第二层曝光；量测第一层的图形与第二层的图形的位置偏差值B；根据位置偏差值A和位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；将位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。通过本申请的处理方案，提高了芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 euv 光刻 duv 图形 位置 对准 方法 | ||
【主权项】：
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