[发明专利]一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法

权利要求书

1.一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述方法包括：

制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；

量测所述第一量测图形和所述第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；

利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；

利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对所述晶圆进行第二层曝光；

量测所述第一层的图形与所述第二层的图形的位置偏差值B；

根据所述位置偏差值A和所述位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；

将所述位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。

2.根据权利要求1所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述第一量测图形和所述第二量测图形的中心点重合。

3.根据权利要求2所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述第一量测图形和所述第二量测图形不重叠。

4.根据权利要求1所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述第一量测图形和所述第二量测图形均设置为多个，且各第一量测图形与各所述第二量测图形的位置相对设置。

5.根据权利要求4所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述第一量测图形和所述第二量测图形在光掩模上均设置为均匀排布的阵列形式，所述阵列范围大于光刻机扫描范围。

6.根据权利要求1所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述位置修正值C的计算公式为：

C＝N*B-A，

式中，N为光掩模图形到晶圆图形的微缩倍数。

7.根据权利要求1-6任一项所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述第一量测图形/第二量测图形的尺寸小于等于20μm，所述第一量测图形/第二量测图形的线宽范围为0.5μm-3μm。

8.根据权利要求1所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述制作具有第一量测图形的EUV光掩模的步骤包括：

绘制第一量测图形；

根据所述第一量测图形利用光刻机对EUV光掩模基板曝光；

曝光后进行烘烤/显影；

进行硬掩膜层的刻蚀；

去除光刻胶，进行钌层、多层钼/硅层的刻蚀；

移除所述硬掩膜层。

9.根据权利要求1所述的EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述制作具有第二量测图形的DUV光掩模的步骤包括：

绘制第二量测图形；

根据所述第二量测图形利用光刻机对DUV光掩模基板曝光；

曝光后进行烘烤/显影；

进行铬层的刻蚀；

去除光刻胶，进行硅化钼层的刻蚀；

移除所述铬层。