[发明专利]一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法

说明书

本申请提供了一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，属于光刻机技术领域，具体包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测第一量测图形和第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对晶圆进行第二层曝光；量测第一层的图形与第二层的图形的位置偏差值B；根据位置偏差值A和位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；将位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。通过本申请的处理方案，提高了芯片的良率。

技术领域

本申请涉及光刻机技术领域，尤其涉及一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法。

背景技术

芯片制造过程中，层与层间图形位置的对准是影响芯片品质及良率的重要因素，对准不好会影响电性，甚至使上下层电路不通，导致产出良率下降。

5纳米芯片制程已在部分关键的层别使用EUV光刻技术，在其他层别仍使用DUV光刻技术，因为两种光刻技术在光学系统上的差异，会使得即使经过位置对准修正后，仍然有一残余偏差，如能将此残余偏差降低，对于芯片良率的改善有很大的帮助。

EUV和DUV光刻机自身都具备图形位置对准修正的功能，光刻机在开始曝光前会先量测晶圆上的校准图案的位置，计算其偏差量后，以高阶多项式模拟得出校正系数，再将此校正系数回馈到光学系统来修正光刻图案的位置。此方法对于线性偏差如位移、放大倍率和旋转等因子有较佳的修正效果，但是对于非线性的偏差如扭曲和凸起等因子无法完全修正，会存在一个修正残值。

EUV和DUV光刻机两种光学系统间的图形位置的偏差包含线性和非线性偏差，经过图形位置对准修正后,由两种光刻机所曝的前后层仍然会有1～5nm的偏差残值。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，至少部分解决现有技术中存在的EUV和DUV光刻机两种光学系统间的图形位置对准修正后仍存在偏差残值的问题。

本申请实施例提供一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，所述方法包括：

制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；

量测所述第一量测图形和所述第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；

利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；

利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对所述晶圆进行第二层曝光；

量测所述第一层的图形与所述第二层的图形的位置偏差值B；

根据所述位置偏差值A和所述位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；

将所述位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一量测图形和所述第二量测图形的中心点重合。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一量测图形和所述第二量测图形不重叠。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一量测图形和所述第二量测图形均设置为多个，且各第一量测图形与各所述第二量测图形的位置相对设置。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一量测图形和所述第二量测图形在光掩模上均设置为均匀排布的阵列形式，所述阵列范围大于光刻机扫描范围。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述位置修正值C的计算公式为：

C＝N*B-A，