[发明专利]半导体装置结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210659334.4 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115241187A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 傅传贤;佘绍煌 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/06;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 白华胜 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置结构，包括：栅极结构，设置在基板上，沿第一方向延伸；第一外延结构，设有第一接触结构围绕所述第一外延结构；电源轨，与所述栅极结构和所述第一外延结构间隔开，其中所述电源轨沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及第二外延结构，由直接设置在所述电源轨的下方的第二接触结构围绕；其中所述第二外延结构电连接到所述电源轨。通过在电源轨下方形成第二外延结构并且将第二外延结构与电源轨电连接，可以有效地降低电源轨电阻，可以抑制IR压降，并且可以改善电子迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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