[发明专利]一种碳化硅外延生长装置及生长工艺方法有效
| 申请号： | 202210648825.9 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN114737254B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 蒲勇;施建新;卢勇;赵鹏;黄名海;陈清龙 | 申请（专利权）人： | 芯三代半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/14;C30B25/12 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐学青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开一种碳化硅外延生长装置及生长工艺方法。该生长装置包括：反应模块及旋转托盘组件，反应模块内设有反应腔，旋转托盘组件配置于反应腔的底部，旋转托盘组件包括：石墨托盘及旋转支撑部，石墨托盘上设有用于放置衬底的凹陷部，凹陷部内设有环状的第一凹槽，第一凹槽被配置为衬底的边缘在石墨托盘上的投影落在第一凹槽内，石墨托盘上设有多个边缘C源气体流路，多个边缘C源气体流路沿第一凹槽的周向排布，且将第一凹槽与旋转支撑部的内腔连通，多个边缘C源气体流路将注入至旋转支撑部的内腔的C源气体引导至第一凹槽，C源气体经第一凹槽引导至衬底的边缘侧。以提高衬底的边缘侧C含量，抑制边缘N的掺杂效率，实现掺杂浓度均匀的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 装置 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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