[发明专利]栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置在审
| 申请号： | 202210634372.4 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115548104A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 朴台镇;李将银;金熙中 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。所述栅极结构可以包括：第一栅电极，在第一方向上延伸；第二栅电极，在第一栅电极的一部分上；栅极掩模，在第一栅电极和第二栅电极上；以及栅极绝缘图案，在第一栅电极的下表面和侧壁以及第二栅电极和栅极掩模的侧壁上。栅极结构在基底的上部分中。第二栅电极的晶粒尺寸大于第一栅电极的晶粒尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 包括 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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