[发明专利]一种防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法在审
| 申请号： | 202210611254.1 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115020195A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 丁雄傑;韩景瑞;周泽成;邱树杰;邹雄辉;刘薇;李锡光 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 吴少鹏 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，包括如下步骤：(1)准备碳化硅外延片；(2)将碳化硅外延片进行清洗；(3)在碳化硅外延片的Si面上涂布一层聚合物溶液，挥发溶剂，从而在碳化硅外延片的Si面上形成聚合物薄膜；(4)将保护胶膜粘贴至聚合物薄膜上；(5)对碳化硅外延片的C面进行磨抛工艺处理；(6)除去保护胶膜；(7)清洗抛光液；(8)除去聚合物薄膜。该防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法在碳化硅外延片的Si面粘贴保护胶膜之前，在Si面上沉积一层聚合物薄膜，能够增加残留胶质颗粒清洗效率，提高生产线效率，从而降低碳化硅外延片制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 过程 碳化硅 外延 表面 胶质 残留 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
