[发明专利]一种防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法

权利要求书

1.一种防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)准备碳化硅外延片；

(2)将碳化硅外延片进行清洗；

(3)在碳化硅外延片的Si面上涂布一层聚合物溶液，挥发溶剂，从而在碳化硅外延片的Si面上形成聚合物薄膜；

(4)将保护胶膜粘贴至聚合物薄膜上；

(5)对碳化硅外延片的C面进行磨抛工艺处理；

(6)除去保护胶膜；

(7)清洗抛光液；

(8)除去聚合物薄膜。

2.如权利要求1所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，步骤(2)中清洗的步骤包括丙酮超声波浸泡清洗、硫酸与双氧水混合溶液加热浸泡、氨水与双氧水混合溶液加热浸泡和去离子水超声清洗。

3.如权利要求1所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，步骤(3)中通过湿法涂布在碳化硅外延片的Si面上涂布一层聚合物溶液。

4.如权利要求3所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，在湿法涂布同时进行加热溶液或超声振动。

5.如权利要求3所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，湿法涂布选用狭缝涂布、雾化喷涂、旋涂和刮刀涂布中的一种。

6.如权利要求1所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，步骤(3)中聚合物选用PFBT、P3HT、PTB7-Th、PBDTTT-C和PFFBT4T-2OD中的一种或几种，步骤(3)中溶剂选用氯苯、邻二氯苯、二甲苯、甲苯、二氯甲烷、三氯甲烷、四氢呋喃中的一种或几种。

7.如权利要求6所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，聚合物溶液为体积百分比为75％：25％的二甲苯和邻二氯苯作为混合溶剂，PFBT作为溶质，PFBT的浓度20～30mg/ml；或聚合物溶液为体积百分比为50％：50％的氯苯和三氯甲烷作为混合溶剂，P3HT的浓度15～25mg/ml。

8.如权利要求1所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，步骤(3)中聚合物薄膜的厚度为50nm～500nm。

9.如权利要求1所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，步骤(3)中采用电流退火方式使溶剂挥发。

10.如权利要求9所述的防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，其特征在于，在电流退火采用的电路结构中正极连接碳化硅外延片的Si面的圆心，至少两个接地负极对称分布连接碳化硅外延片的边缘，通过在正负极之间施加电压使电阻发热从而使Si面上聚合物溶液中的溶剂挥发。