[发明专利]一种低反向导通压降的SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 202210552207.4 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115377070A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 易波;李欢;石文坤;向勇;周嵘;孟繁新;杨占民;李歆玮 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）;中国振华电子集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/78 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪劲松 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种低反向导通压降了SiC MOSFET器件，包括其元胞；元胞包括N型耐压层、与N型耐压层的背面接触的N型缓冲、与N型缓冲的背面接触的衬底、与衬底的背面接触的漏极金属层，所述N型耐压层的正面与基区接触；所述元胞的正面还加工有n个深槽将基区分割，所述深槽内的源极金属与源极金属层接触。本发明屏蔽区与连通区连接形成接地的电气接触，从而避免了需要采用终端区接地带来的问题；并且可以调节沟槽数目来调节沟道密度，灵活地调节器件的反向导通压降和比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 向导 通压降 sic mosfet 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）;中国振华电子集团有限公司，未经中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）;中国振华电子集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210552207.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
