[发明专利]一种射频芯片的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 202210543154.X | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114937613A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李春阳;方梁洪;任超;刘凤;彭祎 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 方秀琴 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及芯片制备技术领域，提供了一种射频芯片的制备方法及其结构，包括获取待制备晶圆，在待制备晶圆的待制备区域制备保护层；在待制备晶圆上的保护层和待电镀区域制备溅射层；在溅射层上制备光阻层；基于目标高度对光阻层进行电镀处理，得到当次电镀处理对应的金属凸块；目标高度表征在待制备晶圆上预电镀的金属凸块的高度；对多次电镀处理对应的多个金属凸块进行回流处理，得到射频芯片；射频芯片包括不同尺寸、相同高度的多个金属凸块。基于本申请实施例，通过根据焊盘的尺寸分步电镀金属凸块，可以减小金属凸块的高度差，降低研磨时由于金属凸块间存在较大高度差引起的裂片、倒装芯片时的虚焊的可能性以及降低芯片的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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