[发明专利]高纯碳化硅多晶粉料的制备方法有效
| 申请号： | 202210528504.5 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114908420B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 孟凡;吴晶 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨晶彩材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/00 | 分类号： | C30B28/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区高新技*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
高纯碳化硅多晶粉料的制备方法，它涉及一种碳化硅多晶粉料的制备方法，属于多功能无机材料合成领域。本发明是为了解决现有制备碳化硅多晶粉料的制备方法纯度低的技术问题。本方法如下：一、将C源与硅源净化；二、将净化后的硅源与净化后的C源混合均匀在温度为800℃～1400℃、真空度为10 |
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| 搜索关键词： | 高纯 碳化硅 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
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