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[发明专利]高纯碳化硅多晶粉料的制备方法-CN202210528504.5有效
发明人：孟凡;吴晶 -专利权人： 哈尔滨晶彩材料科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B28/00 文献下载
摘要：高纯碳化硅多晶粉料的制备方法，它涉及一种碳化硅多晶粉料的制备方法，属于多功能无机材料合成领域。本发明是为了解决现有制备碳化硅多晶粉料的制备方法纯度低的技术问题。本方法如下：一、将C源与硅源净化；二、将净化后的硅源与净化后的C源混合均匀在温度为800℃～1400℃、真空度为10‑5Pa～10‑6Pa的条件下，烧结30min～30h，关闭真空系统，将系统压力平衡至10Pa～100000Pa，升高温度至1950℃～2500℃，保持1～6h，即得。本发明原料净化后即储存在惰性气体保护的手套箱中，手套箱中水氧氮指数极低，保证了原料中极低的氮含量。采用高真空预烧结及硅蒸汽法能够有效除去埋藏在Si颗粒或硅块中的氮及其他杂质，提高了Si蒸汽的纯度，进而提高SiC纯度。本发明属于碳化硅多晶粉料的制备领域。
高纯碳化硅多晶制备方法

[发明专利]一种制备高纯碳化硅多晶粉源Si-C-O前驱体的方法-CN202210829723.7有效
发明人：孟凡;吴晶 -专利权人： 哈尔滨晶彩材料科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：一种制备高纯碳化硅多晶粉源Si‑C‑O前驱体的方法，它涉及Si‑C‑O陶瓷粉体的制备方法，它是要解决现有的碳化硅多晶粉源的纯度低、成本高的技术问题。该装置包括依次连接的洗涤釜、转轮式过滤器、带冷井的第一石英管式炉、隧道式辐照装置、带冷井的第二石英管式炉。方法：将高纯硅碳树脂粉在洗涤釜内清洗后，输入转轮式过滤器中压滤；再送入石英管式炉内除氮，然后送入隧道式辐照装置进行电子束辐照处理，将得到的不溶不熔的致密的块状硅碳树脂在第二石英管式炉内高温去有机化，即得Si‑C‑O前驱体，其中金属杂质为0.01～0.05ppm，金属杂质累计≤1ppm，且氮≤0.5ppm，可用于高纯碳化硅多晶领域。
一种制备高纯碳化硅多晶 si 前驱方法

[发明专利]杂化官能度硅烷无引发悬浮聚合制备高纯SiC多晶源粉的方法-CN202210586713.5在审
发明人：孟凡;吴晶 -专利权人： 哈尔滨晶彩材料科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：高纯SiC多晶源粉的杂化官能度硅烷无引发悬浮聚合制备方法，它涉及一种高纯碳化硅多晶源粉的制备方法，它要解决现有的SiC多晶源粉的制备方法的纯度低、副产物多、氮含量高和成本高的技术问题。本方法：一、制备杂化碳硅树脂；二、树脂洗涤干燥；三、辐照交联联合初级热解碳化；四、前驱体陶瓷高温还原晶化。本方法制备的碳化硅多晶源粉的纯度达到6N以上，每克产品中氮原子含量低于1016个。可用于高纯碳化硅制备领域。
官能硅烷引发悬浮聚合制备高纯 sic 多晶方法

[实用新型]一种保护型异型石墨坩埚-CN202120518408.3有效
发明人：吴晶 -专利权人： 哈尔滨晶彩材料科技有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种保护型异型石墨坩埚，它涉及异型石墨坩埚，它是要解决现有的石墨坩埚易磨损的技术问题。本实用新型的石墨坩埚包括上盖、坩埚主体、子坩埚和外螺纹石墨管；坩埚主体内壁为圆筒形，壳体的内部的底为圆弧形；在底和内壁相交处有一个环状凸台，在凸台上均布呈阶梯状降低的立柱，子坩埚放在立柱的阶梯上，坩埚主体的在壳体的筒壁中均布气孔；气孔的上部开口设置在壳体的上端面，气孔的下部开口在环状凸台的侧壁，上盖与坩埚主体用外螺纹石墨管相连接。该石墨坩埚磨损率低，可用于碳化硅多晶粉料制备领域。
一种保护异型石墨坩埚

[发明专利]一种保护型异型石墨坩埚及其使用方法-CN202110268810.5在审
发明人：吴晶 -专利权人： 哈尔滨晶彩材料科技有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种保护型异型石墨坩埚及其使用方法，它涉及异型石墨坩埚及其使用方法，它是要解决现有的石墨坩埚易磨损及多晶粉料纯度低的技术问题。本发明的石墨坩埚包括上盖、坩埚主体、子坩埚和外螺纹石墨管；坩埚主体内设置呈阶梯状降低的立柱，子坩埚放在立柱的阶梯上，坩埚主体的筒壁中均布气孔，上盖与坩埚主体用外螺纹石墨管相连接。用法：将硅放在壳体底部；将碳粉放在子坩埚中，再将子坩埚放在立柱的阶梯上；将上盖与壳体用外螺纹石墨管旋紧后放在高温炉中；通过外螺纹石墨管向壳体的底部通入气体，升温反应，得到高纯碳化硅多晶粉料。该石墨坩埚磨损率低，使用7N～9N硅颗粒或硅块制备出的碳化硅多晶纯度为6N，可用于碳化硅多晶粉料制备领域。
一种保护异型石墨坩埚及其使用方法