[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202210526030.0 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114613667B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈忠奎;陈超;邓辉 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 沈宗晶 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底内具有若干第一深沟槽；在所述第一衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层充满所述第一深沟槽；对所述第一光阻层进行第一曝光工艺；减薄所述第一光阻层直至露出所述第一衬底，保留所述第一深沟槽内的所述第一光阻层；在所述第一衬底上形成第二光阻层；对所述第二光阻层及所述第一光阻层进行第二曝光工艺及显影工艺，以除去第一衬底上的部分第二光阻层及对应的第一深沟槽内的第一光阻层。通过第一光阻层充满第一深沟槽，为第二光阻层的形成提供平坦的表面，提升第二光阻层各处厚度的均匀性，进而提升第二光阻层内部应力的均匀性，避免产生裂缝。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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