[发明专利]提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法在审
| 申请号： | 202210525822.6 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114892274A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 黄四江;刘得伟;王美春;沙智勇;尹归;杨海平;殷云川 | 申请（专利权）人： | 昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，属于PVT法碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长工艺中晶体生长的控制工艺。本发明的工艺步骤包括，高压升温、降压变压生长以及升压结束生长和退火过程，其中降压变压生长维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到10‑20mbar的低压，再经60‑100h把10‑20mabr的炉内压力线性降低到6‑8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动。利用本申请的方法可以使碳化硅晶体厚度由目前15‑25mm的水平提高到30mm以上，解决了目前PVT法碳化硅晶体生长工艺中原料利用率低，生产效率低，剩料多回收困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 pvt 碳化硅 晶体生长 厚度 方法 | ||
【主权项】：
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