[发明专利]提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法在审
| 申请号： | 202210525822.6 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114892274A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 黄四江;刘得伟;王美春;沙智勇;尹归;杨海平;殷云川 | 申请（专利权）人： | 昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 pvt 碳化硅 晶体生长 厚度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，其特征在于该方法包括以下工艺步骤：
S1,高压升温: 把装好碳化硅原料和籽晶的石墨坩埚装入碳化硅长晶炉，抽真空后，充入氩气使炉内压力达到500-800mbar，然后开始升温让炉内温度达到2200-2400℃；
S2,降压变压生长:维持炉内温度2200-2400℃，经3-5h缓慢降低炉内气压达到10-20mbar的低压，再经60-100h把10-20mabr的炉内压力线性降低到6-8mbar，长晶炉的线圈以0.1-0.5mm的速度向下移动；
S3,升压结束生长和退火：长晶结束后，向炉内充入氩气使炉内压力达到500-800mbarmbar，然后维持500-800mbar的压力让炉内温度由2200-2400℃经30-60小时退火降到室温。
2.如权利要求1所述的提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，其特征在于降压变压生长步骤是：维持炉内温度2200-2400℃，经3-5h缓慢降低炉内气压达到12mbar的低压，再经80h把12mabr的炉内压力线性降低到8mbar，长晶炉的线圈以0.1-0.5mm的速度向下移动。
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