[发明专利]一种半导体晶圆高效清洗工艺有效
| 申请号： | 202210525172.5 | 申请日： | 2022-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN114823289B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 201900 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶圆高效清洗工艺，先将待清洗的半导体晶圆码放在等离子清洗的清洗室内，对清洗室进行抽真空直至清洗室内的真空度达到设定值，然后充入工作气并将清洗室内的真空度保持在设定值；开启高频电源，对清洗室内的气体进行电离，对在清洗室内的半导体晶圆进行清洗；清洗完成后，关闭高频电源，向清洗室内充入保护气直至清洗室内的内气压达到常压后，将清洗完成后的半导体晶圆从清洗室内取出。所述半导体晶圆高效清洗工艺能够对光刻胶残污有效去除，去除效果好，去污速率高，去污的均匀性能得到保证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 高效 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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