[发明专利]具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202210520596.2 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114975612A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 李轩;吴阳阳;赵汉青;娄谦;邓小川;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件及制备方法，属于功率半导体器件技术领域。主要用于在不提高器件生产成本、不增加额外工艺流程、不牺牲器件其他性能的前提下，提升栅极电阻对IGBT开启过程的控制能力，降低器件电压突变dV/dt及电流突变dI/dt噪声。与传统沟槽栅SiC IGBT元胞结构相比，本发明新型SiC元胞结构通过在部分P+欧姆接触区和N+源区上覆盖氧化层和多晶硅栅，在不影响米勒电容C |
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| 搜索关键词： | 具有 电磁 干扰 噪声 sic 沟槽 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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