[发明专利]具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件及制备方法

权利要求书

1.一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件，其特征在于包括：P型衬底(10)、位于P型衬底上方的N型缓冲层(9)、位于N型缓冲层(9)上方的N型漂移层(8)、位于N型漂移层(8)上方的电荷存储层CSL(7)、位于电荷存储层CSL(7)内部的P型屏蔽层Pshield(6)，位于电荷存储层CSL(7)上方的P型基区Pbase(5)、位于P型基区Pbase(5)上方的P+接触区(4)和N+接触区(3)、P型屏蔽层Pshield(6)上方和器件顶部都设有氧化层(2)，氧化层(2)上方设有多晶硅栅(1)；所述多晶硅层栅(1)和氧化层(2)覆盖P+接触区(3)和N+接触区(4)顶部的部分区域；P+接触区(3)和N+接触区(4)表面被多晶硅层栅(1)和氧化层(2)部分覆盖，集电极(11)位于器件下方且与P型衬底(10)形成欧姆接触，发射极(12)位于器件上方且与部分N+接触区(3)和P+接触区(4)形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件，其特征在于：P+接触区(3)和N+接触区(4)表面被多晶硅层栅(1)和氧化层(2)覆盖的区域面积、与未被多晶硅层栅(1)和氧化层(2)覆盖的区域面积的比值选自1:1、2:1、1:2、3:1、1:3、4:1、1:4、5:1、1:5其中一种。

3.根据权利要求1所述的一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件，其特征在于：在P+接触区(3)和N+接触区(4)表面上方、多晶硅层栅(1)下方的氧化层(2)的厚度，等于器件体内氧化层(2)的厚度。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件，其特征在于：所述氧化层(2)为SiO₂或高K介质。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件，其特征在于：所述器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时N型掺杂变为P型掺杂。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件，其特征在于：所述器件材料为SiC材料。

7.权利要求1～5任意一项所述的一种具有低电磁干扰噪声的SiC沟槽栅IGBT器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

第一步：清洗外延片，在漂移区上外延生长电荷存储层CSL，并进行平坦化；

第二部：以氧化层为注入阻挡层，离子注入形成P型基区Pbase区、P+接触区和N+接触区；

第三步：刻蚀沟槽；

第四步：槽底离子注入形成P型屏蔽层Pshield；

第五步：干氧氧化生成栅氧化层；

第六步：淀积多晶硅并进行表面平坦化；

第七步：光刻图形化多晶硅和氧化层；

第八步：淀积场氧化层；

第九步：光刻通孔，淀积金属，并形成欧姆接触电极。