[发明专利]三维存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210516898.2 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114899192A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘修忠;沈保家;艾义明;刘小辉;陈洁;王克 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施方式提供了一种三维存储器及其制备方法。该制备方法包括：在贯穿堆叠结构的沟道孔的内壁上形成氮化硅层；对氮化硅层的远离沟道孔的内壁的第一部分进行第一氧化处理；以及对氮化硅层进行第二氧化处理。通过上述方法，简化了工艺操作、节省了工艺成本，同时还可使最后形成的氧化硅层具有较好的薄膜均匀性和薄膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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