[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 202210516056.7 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114759123A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种发光二极管外延片及其制作方法，所述发光二极管外延片包括：衬底、以及在衬底上依次层叠的低温成核层、未掺杂的u‑GaN层、插入层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型GaN层；插入层包括在未掺杂的u‑GaN层上依次层叠的第一子层、第二子层及第三子层，第一子层为低温高压生长的Mg |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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