[发明专利]半导体装置的形成方法

摘要

本公开涉及半导体装置的形成方法。金属氮化物扩散阻障层可被包含在钴基结构及钌基结构之间，以减少、最小化及/或防止钴与钌的混合。金属氮化物扩散阻障层可包括氮化钴(CoNx)、氮化钌(RuNx)、或具有键离解能大于钴对钴的键离解能(Co‑Co)的另一种金属氮化物，且可因此作为钴迁移及扩散到钌中的强阻障。此外，相较于例如氮化钛(TiN)、氮化钨(WN)及氮化钽(TaN)的其他材料，氮化钴及氮化钌具有较低的电阻率。因此，金属氮化物扩散阻障层能够最小化钴扩散及混入钌基的内连线结构，且保持内连线结构的低接触电阻。这可提高半导体装置性能、可提高半导体装置产率、并且可进一步减小内连线结构尺寸。