[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210509148.2 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114937669A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王春明;王绍迪 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 魏小薇;吴丽丽 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上依次形成第一氧化物层、存储层、第二氧化物层、控制栅极层和硬掩膜层；蚀刻硬掩膜层、控制栅极层、第二氧化物层、存储层和第一氧化物层，以形成栅极堆叠体；在栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体；在第一栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，在第二栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极；蚀刻栅极堆叠体以形成第一开口；在衬底的位于第一开口下方的部分中形成源极区域；以及在第一选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，在第二选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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