[发明专利]一种电迁移测试结构在审
| 申请号： | 202210503693.0 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114823630A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 虞勇坚;贾沛;万永康;陆坚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种电迁移测试结构，包括I‑V引出端通孔跨层型、单边引出电压测试焊盘和电流源的通孔跨层型、为双侧引出电压测试焊盘的跨层型等13中结构。其中I‑V引出端通孔跨层型为结构中，包含四个结构元素，分别为金属化测试线、其他金属互连线、通孔互连结构和大面积金属化测试焊盘；包含两层金属层，其中金属化测试线位于第一层，电流源、电压引出端和其他金属互连线通过通孔互连于第二层，形成跨层结构。本发明在于提供一种电迁移测试结构，用于评价半导体器件制造过程中引起的电迁移可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210503693.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种马铃薯雾培结构和雾培设备
- 下一篇：一种环保型水性涂料及其制备方法
