[发明专利]硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法有效
| 申请号： | 202210500579.2 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114613847B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴春艳;鲁德;朱晨岳;周昆楠;戴一航;罗林保 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/205;H01L29/778;H01L21/02;H01L21/335;C23C16/30 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法，是在Si衬底上利用金属有机气相化学沉积的方法外延生长基于AlGaN/GaN异质结的HEMT外延薄膜。本发明通过在Si衬底上生长缓冲层控制Al组分渐变，并且加入AlGaN/AlN超晶格和AlN/GaN超晶格的双层超晶格缓冲层来降低晶格失配和热失配，实现大尺寸硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜的生长，得到高质量的AlGaN/GaN异质结，获得高浓度高迁移率的二维电子气（2DEG）。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 algan gan hemt 外延 薄膜 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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