[发明专利]一种集成芯片的加工制备工艺在审
| 申请号： | 202210492026.7 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114899114A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 谢维 | 申请（专利权）人： | 江苏鼎茂半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/52;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京箐昱专利代理事务所(普通合伙) 16105 | 代理人： | 刘烨姗 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于芯片加工技术领域，公开了一种集成芯片的加工制备工艺，包括，S1：获取Wafer，将Wafer作为衬底；S2：确定蚀刻区域，将不同封装体放置于Wafer衬底上，描绘蚀刻区域；S3：进行蚀刻，将获描绘后蚀刻区域，在Wafer上进行蚀刻，其中蚀刻后可放置芯片数量至少为一个；S4：在蚀刻区域内，放置对应的芯片；S5：对放置后的芯片进行加工。S2中，描绘的蚀刻区域与封装体的形状大小一致。本发明可以实现高度集中的封装体，整体芯片整体非常牢固，不易损坏，提高了整体的使用寿命，便于推广应用。本方法无需金线的使用，信赖性更好，减少了金线连接容易出现故障、信号断开的情况，更加实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 芯片 加工 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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