[发明专利]一种集成芯片的加工制备工艺

权利要求书

1.一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：包括，

S1：获取Wafer，将Wafer作为衬底；

S2：确定蚀刻区域，将不同封装体放置于Wafer衬底上，描绘蚀刻区域；

S3：进行蚀刻，将获描绘后蚀刻区域，在Wafer上进行蚀刻，其中蚀刻后可放置芯片数量至少为一个；

S4：在蚀刻区域内，放置对应的芯片；

S5：对放置后的芯片进行加工。

2.根据权利要求1所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：S2中，描绘的蚀刻区域与封装体的形状大小一致。

3.根据权利要求1所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：S3中，蚀刻后的Wafer具有凹槽，其中，凹槽的深度与放置的芯片高度一致，当芯片放置完成后，芯片的顶壁与Wafer的顶壁处于同一个平面内。

4.根据权利要求3所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：凹槽的深度为1.0-1.7um，且P刻蚀工艺刻蚀到衬底的宽度为10-25um。

5.根据权利要求1所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：S5中，对放置后的芯片进行加工：

第一步：生成钝化层，用于对芯片进行覆盖加固定；

第二步：利用涂布光刻胶，显影，曝光，蚀刻，露出需要电性连接的区域；

第三步：金属溅射，然后再次重复步骤二，实现最终的电气连接；

第四步：进行划片，将集成封装体独立出来。

6.根据权利要求5所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：其中，第一步中，钝化层为二氧化硅，且二氧化硅的厚度为10～100μm。

7.根据权利要求5所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：其中，第二步中，利用等离子增强化学气相沉积设备在芯片表面沉积一层厚度在500-3000A之间的透明绝缘层。

8.根据权利要求7所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：透明绝缘层的材料为Si₃N₄、SiO₂和Al₂O₃料中的一种或多种。