[发明专利]一种基片台倒置的化学气相沉积系统及设备

摘要

本发明提供了一种基片台倒置的化学气相沉积系统及设备，包括自上向下依次设置的基片台升降组件、反应腔体、微波馈入玻璃和微波馈入腔体，反应腔体一端由基片台升降组件密封，另一端由微波馈入玻璃和微波馈入腔体密封，反应腔体中设有基片台组件，基片台组件和基片台升降组件密封连接，微波激发的等离子体位于基片台的正下方。本发明通过基片台倒置实现了等离子体形成于基片台正下方，离子化的反应气体因为上升气流的影响可以第一时间到达金刚石生长区域，同时金刚石生长区域附近排除了掺杂大量未离子化的反应气体的可能，可明显提高金刚石的生长效率及提高金刚石生长区域附近离子化气体的均匀性，提升了金刚石的生长质量。