[发明专利]一种基片台倒置的化学气相沉积系统及设备在审
| 申请号: | 202210464232.7 | 申请日: | 2022-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN114774880A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 顾亚骏;全峰;蒋礼 | 申请(专利权)人: | 深圳优普莱等离子体技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/511;C01B32/26 |
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| 地址: | 518000 广东省深圳市光明区光*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基片台 倒置 化学 沉积 系统 设备 | ||
1.一种基片台倒置的化学气相沉积系统,包括自上向下依次设置的基片台升降组件、反应腔体、微波馈入玻璃和微波馈入腔体,反应腔体一端由所述基片台升降组件密封,另一端由所述微波馈入玻璃和所述微波馈入腔体密封,所述反应腔体中设有基片台组件,所述基片台组件和所述基片台升降组件密封连接,微波激发的等离子体位于所述基片台组件的正下方。
2.根据权利要求1所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述基片台升降组件包括真空波纹管、活动盘、固定盘、反应腔体底盘和螺杆,所述真空波纹管两端分别与所述活动盘和所述反应腔体底盘密封连接,所述反应腔体底盘和所述反应腔体密封连接,所述螺杆一端与所述反应腔体底盘活动连接,所述活动盘和所述固定盘设有内螺纹,所述螺杆分别与所述活动盘和所述固定盘螺纹连接。
3.根据权利要求2所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述基片台升降组件还包括固定杆,所述固定杆一端与所述反应腔体底盘固定连接,另一端与所述固定盘固定连接,所述活动盘设有配合孔,所述固定杆对应穿过所述配合孔。
4.根据权利要求2所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述基片台组件包括基片台和基片台支架,所述基片台支架与所述活动盘密封连接。
5.根据权利要求4所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述基片台上设有衬底固定模块。
6.根据权利要求5所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述衬底固定模块为多个固定设置在所述基片台边缘的L形固定件,至少2个相邻所述L形固定件与所述基片台中心连线夹角大于等于180度。
7.根据权利要求6所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述L形固定件靠近等离子体的边缘为圆角。
8.根据权利要求7所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述L形固定件材质为弹性金属。
9.根据权利要求5所述的基片台倒置的化学气相沉积系统,其特征在于:所述基片台设有多个基片台凹陷,所述衬底固定模块为设置在所述基片台凹陷中的吸盘。
10.一种设备,其特征在于,包括:如权利要求1-9中任一项所述的基片台倒置的化学气相沉积系统。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





