[发明专利]高密度扇出封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210457855.1 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114883203A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李宗怿;郭良奎;梁新夫;丁晓春 | 申请（专利权）人： | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/373 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 黄妍 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供高密度扇出封装结构及其制备方法，所述方法包括：提供一硅基板，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上；对所述待封装芯片进行塑封，制备得到塑封层，其中所述塑封层的顶面与所述待封装芯片有源面上的互联柱的顶端在同一水平面；在所述塑封层的顶面制备多层布线层，使所述多层布线层与所述互联柱相互连接；在所述多层布线层上制备与封装互联体导通互联的焊接构件；对所述硅基板进行减薄处理，得到高密度扇出封装结构；解决了现有技术中的高密度扇出封装结构在制作中存在芯片翘曲的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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