[发明专利]高密度扇出封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一硅基板，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上；

对所述待封装芯片进行塑封，制备得到塑封层，其中所述塑封层的顶面与所述待封装芯片有源面上的互联柱的顶端在同一水平面；

在所述塑封层的顶面制备多层布线层，使所述多层布线层与所述互联柱相互连接；

在所述多层布线层上制备与封装互联体导通互联的焊接构件；

对所述硅基板进行减薄处理，得到高密度扇出封装结构。

2.如权利要求1所述的高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上，包括：

提供一胶连结构，将所述胶连结构的一面贴在所述硅基板上；

将所述待封装芯片的无源面贴在所述胶连结构的另一面上。

3.如权利要求1所述的高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上，包括：

对所述待封装芯片的无源面和硅基板的一面分别进行研磨处理，分别得到芯片镜面硅基面和基板镜面硅基面；

提供一金属片，对所述金属片的两面分别进行研磨处理，分别得到第一镜面金属面和第二镜面金属面；

将所述芯片镜面硅基面与所述第一镜面金属面键合，将所述第二镜面金属面与所述基板镜面硅基面键合。

4.如权利要求3所述的高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，将所述芯片镜面硅基面与所述第一镜面金属面键合，将所述第二镜面金属面与所述基板镜面硅基面键合，包括：

提供一支撑载板，将所述第一镜面金属面通过临时键合胶层热压在支撑载板上；

将所述第二镜面金属面与所述基板镜面硅基面键合；

解键合去除所述支撑载板后，将所述第一镜面金属面与所述芯片镜面硅基面键合。

5.如权利要求4所述的高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，

芯片镜面硅基面与第一镜面金属面之间形成硅铝合金层，且芯片镜面硅基面与第一镜面金属面之间的键合温度为550℃-600℃；

第二镜面金属面与基板镜面硅基面之间形成硅铝合金层，且第二镜面金属面与基板镜面硅基面之间的键合温度为550℃-600℃。

6.如权利要求2所述的高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，在所述塑封层的顶面制备多层布线层，包括：

步骤S1、在所述塑封层的顶面上旋涂光刻胶并进行烘干、曝光和显影后，制备得到具有第一开口阵列的第一介电层；其中，所述第一开口阵列与待封装芯片有源面上的互联柱相对应；

步骤S2、在所述第一开口阵列上制备铜晶核层并电镀铜，制备得到第一铜布线层；

步骤S3、在所述第一铜布线层上旋涂光刻胶并进行烘干、曝光和显影后，制备得到具有第二开口阵列的第二介电层；其中，所述第二开口阵列与所述第一铜布线层中的铜柱相对应；

步骤S4、在所述第二开口阵列上制备铜晶核层并电镀铜，制备得到第二铜布线层；

步骤S4、重复步骤S3-S4的步骤，在所述所述第n铜布线层制备依次制备得到第n+1介电层和第n+1铜布线层，直至完成所述多层布线层的制备；

其中，n为大于1的正整数。

7.如权利要求1所述的高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，对所述硅基板进行减薄处理，得到高密度扇出封装结构，包括：

提供一保护膜，将所述保护膜覆盖在所述焊接构件上；

提供一临时载板，将所述临时载板粘贴在所述保护膜上，得到芯片封装体；

翻转所述芯片封装体，对所述硅基板进行减薄处理，去除所述临时载板和保护膜后得到高密度扇出封装结构。