[发明专利]高密度扇出封装结构及其制备方法

说明书

本发明提供高密度扇出封装结构及其制备方法，所述方法包括：提供一硅基板，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上；对所述待封装芯片进行塑封，制备得到塑封层，其中所述塑封层的顶面与所述待封装芯片有源面上的互联柱的顶端在同一水平面；在所述塑封层的顶面制备多层布线层，使所述多层布线层与所述互联柱相互连接；在所述多层布线层上制备与封装互联体导通互联的焊接构件；对所述硅基板进行减薄处理，得到高密度扇出封装结构；解决了现有技术中的高密度扇出封装结构在制作中存在芯片翘曲的问题。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及适用于高密度扇出封装结构及其制备方法。

背景技术

现有技术中，扇出封装结构的制备工艺通常是将芯片的有源面朝向载板的方式固定，对芯片进行底部填充，再经环氧树脂料进行塑封填充，在芯片的无源面对应的塑封填充层黏贴载板，并去除芯片的有源面对应的载板，在芯片的有源面上制备扇出封装结构的再布线层。但这种封装工艺存在一个目前无法解决的翘曲问题，其原因是：载板通常采用不锈钢或玻璃材质，而这两种材料的CTE(Coefficient of Thermal Expansion，热膨胀系数)与芯片的基底硅材料存在较大的差异，因此在后续多次高温回流工艺中会导致芯片翘曲现象。

可见，现有技术中的高密度扇出封装结构在制作中存在芯片翘曲的问题，影响了封装结构的稳定性和可靠性。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足，本发明提供的高密度扇出封装结构及其制备方法，其解决了现有技术中的高密度扇出封装结构在制作中存在芯片翘曲的问题。

第一方面，本发明提供一种高密度扇出封装结构的制备方法所述方法包括：提供一硅基板，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上；对所述待封装芯片进行塑封，制备得到塑封层，其中所述塑封层的顶面与所述待封装芯片有源面上的互联柱的顶端在同一水平面；在所述塑封层的顶面制备多层布线层，使所述多层布线层与所述互联柱相互连接；在所述多层布线层上制备与封装互联体导通互联的焊接构件；对所述硅基板进行减薄处理，得到高密度扇出封装结构。

可选地，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上，包括：提供一胶连结构，将所述胶连结构的一面贴在所述硅基板上；将所述待封装芯片的无源面贴在所述胶连结构的另一面上。

可选地，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上，包括：对所述待封装芯片的无源面和硅基板的一面分别进行研磨处理，分别得到芯片镜面硅基面和基板镜面硅基面；提供一金属片，对所述金属片的两面分别进行研磨处理，分别得到第一镜面金属面和第二镜面金属面；将所述芯片镜面硅基面与所述第一镜面金属面键合，将所述第二镜面金属面与所述基板镜面硅基面键合。

可选地，将所述芯片镜面硅基面与所述第一镜面金属面键合，将所述第二镜面金属面与所述基板镜面硅基面键合，包括：提供一支撑载板，将所述第一镜面金属面通过临时键合胶层热压在支撑载板上；将所述第二镜面金属面与所述基板镜面硅基面键合；解键合去除所述支撑载板后，将所述第一镜面金属面与所述芯片镜面硅基面键合。

可选地，芯片镜面硅基面与第一镜面金属面之间形成硅铝合金层，且芯片镜面硅基面与第一镜面金属面之间的键合温度为550℃-600℃；第二镜面金属面与基板镜面硅基面之间形成硅铝合金层，且第二镜面金属面与基板镜面硅基面之间的键合温度为550℃-600℃。