[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210455685.3 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN115579383A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 菅原健太 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供抑制离基板远的沟道层中的发热的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；半导体层(12)，设于所述基板上，具有层叠的多个沟道层(14a～14d)；源电极和漏电极，电连接于所述多个沟道层；以及多个栅电极(26)，设于所述源电极与所述漏电极之间，在与从所述源电极朝向所述漏电极的方向交叉的方向上排列，从所述半导体层的上表面起至少被嵌入至离所述基板最近的沟道层，所述多个沟道层内的两个沟道层中离所述基板较远的沟道层的、在所述多个栅电极中邻接的两个栅电极之间的宽度比所述两个沟道层中离所述基板较近的沟道层的在所述邻接的两个栅电极之间的宽度窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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